夢幻記憶體mram

夢幻記憶體（MRAM，Magnetoresistive Random Access Memory）是一種非易失性存儲器技術，結合了DRAM的高速讀寫能力和快閃記憶體的非易失性特性。其核心原理是利用磁性材料的電阻變化來存儲數據，通過磁隧道結（MTJ）實現信息的寫入和讀取。

MRAM的主要優勢包括：

1. 非易失性：斷電後數據不會丟失。
2. 高速讀寫：接近DRAM的速度，適合高性能套用。
3. 低功耗：寫入數據時能耗較低。
4. 高耐久性：可承受多次讀寫操作，壽命遠超快閃記憶體。

MRAM在物聯網、汽車電子、工業控制等領域有廣泛套用潛力，尤其在需要快速回響和數據持久存儲的場景中表現突出。然而，現階段成本較高和存儲密度較低仍是其推廣的主要障礙。隨著技術發展，MRAM有望在未來存儲市場中占據重要地位。